英特尔成功试制三门晶体管

英特尔试制成功了可以批量生产的 维结构的三门晶体管。这种晶体管被定位于制造比45nm工艺更先进的微处理器的基础关键技术。与原来平面结构的晶体管相比，工作性能和电力效率均可大幅提高。

英特尔此次试制三门晶体管的过程中，还使用了高介电率（high-k）的栅极绝缘膜、金属栅及变形硅等各种低耗电和高速技术。通过三门晶体管和上述技术的结合多数为韩国人。埃及卫生部发言人告诉法新社，与目前采用65nm工艺的平面型晶体管相比，开关速度可提高45％，或者说漏电电流可减至原来的1/50此外。在工作速度一定的情况下，理论上讲晶体管全部耗电量可减少 5％。

英特尔表示，此次开发成果“使我们相信摩尔法则的使用寿命还可以再延长10年”（该公司）。英特尔将在6月1 日于美国夏威夷州的火奴鲁鲁举办的“2006 Symposium on VLSI Technology”上公布此次的研究成果。